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STD4530NL	文件：770.44 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO251andTO252Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STD4530NLS	文件：944.95 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU4530NL	文件：770.44 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO251andTO252Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
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SZ4530	文件：28.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:2.7-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ4530	文件：73.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.6-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
SZ4530	文件：76.6 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ4530	文件：327.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ4530	文件：338.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SZ4530	文件：44.22 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:2.7-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
PH4530
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PH4530供应商更新时间2025-5-29 14:01:00

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