PH3855L中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
PH3855L
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 55V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2450+ |
SOT-669 |
9850 |
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询价 | ||
恩XP |
25+23+ |
SOT-669 |
26970 |
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询价 | ||
恩XP |
10+P |
SOT-669 |
13500 |
询价 | |||
PHOEBUS |
24+ |
DIP-32 |
3 |
询价 | |||
恩XP |
2022+ |
SC-100,SOT-669 |
38550 |
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恩XP |
23+ |
SC100 SOT669 |
7000 |
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BOOMELE |
2447 |
DIP |
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HCTL |
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con |
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恩XP |
22+ |
SOT-669 |
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恩XP |
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LFPAK56 |
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