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PH3330L中文资料安世数据手册PDF规格书

PH3330L
厂商型号

PH3330L

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

316.69 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 20:00:00

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PH3330L规格书详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Notebook computers

Switched-mode power supplies

Voltage regulators

产品属性

  • 型号:

    PH3330L

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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