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PINA350CDSIDDFR	文件：3.94772 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDDFR	文件：3.45533 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns •Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) •Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 •Op	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDSGR	文件：3.94772 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDSGR	文件：3.45533 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns •Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) •Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 •Op	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLED350S	文件：509.58 Kbytes Page：4 Pages	PLEDUltraLowHoldingCurrentSeries Description ThisPLEDultra-lowholdingcurrentseriesexhibitsa lowholdingcurrentparameterthatmakesitcompatible withLEDlightingstrings.Theseriesprovideaswitching electroniccharacteristicsforanfluorescenttube replacementbyanLEDstring.Ithelpstomakethe Fluorescent	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
PMXB350UPE	文件：241.47 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandultrathinSMDpl	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMXB350UPE	文件：727.27 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Leadlessultrasmallandultrathi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350UPE	文件：701.81 Kbytes Page：14 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350XN	文件：91.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMZ350XN	文件：206.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage nLeadlesspack	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
PH350PG
制造商：
Hammond Power Solutions
功能描述：
Transformer, control,
pri：
120/240V, 1ph, 60Hz,
sec：
350VA, 12/24V, 29.2/14.6A
功能描述：
MACHINE TOOL CONTROL TRANSFORM
功能描述：
MACHINE TOOL CONTROL TRANSFORMERS; Primary
Voltages：
2 x 110V, 2 x 115V, 2 x 120V; Secondary
Voltages：
2 x 11V, 2 x 11.5V, 2 x 12V; Current
Rating：
29.2A; Power
Rating：
350VA; Plug
Type：
-; External
Depth：
131.83mm; External
Width：
114.3mm ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	PH350PG	HammondPowerSolutions	新		40	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	PH350PG	Hammond Power Solutions	2022+		36	全新原装货期两周	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	PH3530DL	NXP	1735+	TO669	6528	科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!	询价
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