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PH3030AL,115	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Nexperia 安世	Nexperia
PH3830DL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-669	恩XP 上传：深圳市中联芯电子有限公司	恩XP
PH39F040-70P	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-32	PHOEBUS 上传：深圳市赛尔通科技有限公司	PHOEBUS
PH600S280-12	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	LAMBDA 电盛兰达上传：深圳市恒达亿科技有限公司	LAMBDA
PH7030DL	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-85x6	恩XP 上传：深圳市中联芯电子有限公司	恩XP

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
45.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2822pF @ 12V
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳：
SC-100，SOT-669

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更多PH3030AL,115供应商更新时间2026-2-5 15:28:00

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