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PS2625L	文件：223 Kbytes Page：38 Pages	OptocouplerApplications SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
SP-2625	文件：168.61 Kbytes Page：6 Pages	SIGNALPROCESSINGEXCELLENCE	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
SSM2625	文件：609.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SST2625	文件：525.03 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SST2625	文件：426.73 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET Description TheSST2625utiltzedadvanceprocessingtechniquestoachievethelowestTheSST2625isuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications.possibleon-resistance,extermelyefficientandcost-effectivenessdevice. Features LowOn-Resistance LowGateCharge	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TGA2625	文件：615.81 Kbytes Page：14 Pages	10to11GHz20WGaNPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA2625-CP	文件：578.2 Kbytes Page：15 Pages	10to11GHz,17WGaNPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TLV2625	文件：1.09099 Mbytes Page：25 Pages	FAMILYOFLOW-POWERWIDEBANDWIDTHSINGLESUPPLYOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2625ID	文件：806.67 Kbytes Page：23 Pages	FAMILYOFLOWPOERWIDEBANDWIDTHSINGLESUPPLYOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2625IDR	文件：806.67 Kbytes Page：23 Pages	FAMILYOFLOWPOERWIDEBANDWIDTHSINGLESUPPLYOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
PH2625L
功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 25V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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