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PN2369A	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2369A	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2369A	文件：45.45 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistors DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •High-speedswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PN2369A	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2369A	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5769andPN2369AareepitaxialplanarNPNSiliconTransistorsdesignedforultrahighspeedsaturatedswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PT2369	文件：261.079 Kbytes Page：4 Pages	4Inputs,2.6Wx2Class-ABAudioAmplifierwithI2CVolume	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2369-HT	文件：261.079 Kbytes Page：4 Pages	4Inputs,2.6Wx2Class-ABAudioAmplifierwithI2CVolume	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RF2369	文件：408.47 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2369	文件：306.45 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2369	文件：257.209 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2369isaswitchablelownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifier.WhenusedasanLNA,thebiascurrentcanbesetexternally.WhenusedasaPAdriver	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

详细参数

型号：
PH2369,112
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS BULK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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