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PN2369A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PN2369A

参数属性

PN2369A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

功能描述

NPN Switching Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

198.06 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 15:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    PN2369A

  • 别名:

    PN2369A三极管、PN2369A晶体管、PN2369A晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_开关管 (SW)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSX20,2N2369A,3DG130C,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-10

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0.6

PN2369A规格书详情

NPN Switching Transistor

This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.

产品属性

  • 产品编号:

    PN2369A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    400nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAI
24+
44000
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Freescale(飞思卡尔)
25+
封装
500000
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