| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PGS08N080 | 屏蔽栅沟槽功率场效应管 | HTSEMI 金誉半导体 | HTSEMI |
技术参数
- 工艺：
单N
- 沟道类型：
否
- 防静电ESD：
80
- 漏源耐压Vds(V)：
20.000
- 栅源耐压Vgs(V)：
1.8
- 阈值电压Vth(V)TYP：
16.000
- 电流ID(A)：
8.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
10.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
0.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0.000
- 规格书：
0.000
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-12-3 10:09:00
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