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PGP06N010中文资料屏蔽栅沟槽功率场效应管数据手册HTSEMI规格书

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厂商型号

PGP06N010

功能描述

屏蔽栅沟槽功率场效应管

制造商

HTSEMI Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

金誉半导体 深圳市金誉半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PGP06N010

  • 生产厂家

    :HTSEMI

  • 工艺

    :单N

  • 沟道类型

    :否

  • 防静电ESD

    :60

  • 漏源耐压Vds(V)

    :20.000

  • 栅源耐压Vgs(V)

    :3

  • 阈值电压Vth(V)TYP

    :200.000

  • 电流ID(A)

    :1.000

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V

    :0.000

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V

    :0.000

  • 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V

    :0.000

  • 规格书

    :0.000

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