PGN13N190中文资料屏蔽栅沟槽功率场效应管数据手册HTSEMI规格书
技术参数
- 制造商编号
：PGN13N190
- 生产厂家
：HTSEMI
- 工艺
：单N
- 沟道类型
：否
- 防静电ESD
：135
- 漏源耐压Vds(V)
：20.000
- 栅源耐压Vgs(V)
：3.5
- 阈值电压Vth(V)TYP
：50.000
- 电流ID(A)
：19.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V
：0.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V
：0.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V
：0.000
- 规格书
：0.000
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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