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技术参数

工艺：
屏蔽栅型
沟道类型：
单N
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
100.000
栅源耐压Vgs(V)：
±20
阈值电压Vth(V)TYP：
1.800
电流ID(A)：
80.000
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
7.700
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
11.200
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V：
0.000
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0.000
规格书：
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更多PGD供应商更新时间2025-10-13 11:04:00

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