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PGA280AIPW	文件：900.04 Kbytes Page：45 Pages	Zero-Drift High-Voltage Programmable Gain INSTRUMENTATION AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PGA280AIPW	文件：1.30381 Mbytes Page：46 Pages	Programmable Gain INSTRUMENTATION AMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PGA280AIPWR	文件：900.04 Kbytes Page：45 Pages	Zero-Drift High-Voltage Programmable Gain INSTRUMENTATION AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PGA280AIPWR	文件：1.30381 Mbytes Page：46 Pages	Programmable Gain INSTRUMENTATION AMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PH-A280	文件：132.87 Kbytes Page：2 Pages	50-150W,200to425VDCInputDC-DCConverters	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
PMF280UN	文件：90.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channelUTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMF280UN	文件：208.39 Kbytes Page：13 Pages	N-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage. nDrivercircuitsnSwitchingin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMGD280UN	文件：94.02 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMGD280UN	文件：212.17 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN280ENEA	文件：264.93 Kbytes Page：14 Pages	100V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PGA280AIPW
功能描述：
仪表放大器 Zero Drift HV Progr. Gain Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入补偿电压：
150 V
最大输入电阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作电源电压：
2.7 V to 36 V
电源电流：
200 uA
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Bulk

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