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PINA350CDSIDDFR	文件：3.45533 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns •Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) •Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 •Op	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDSGR	文件：3.94772 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDSGR	文件：3.45533 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns •Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) •Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 •Op	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLED350S	文件：509.58 Kbytes Page：4 Pages	PLEDUltraLowHoldingCurrentSeries Description ThisPLEDultra-lowholdingcurrentseriesexhibitsa lowholdingcurrentparameterthatmakesitcompatible withLEDlightingstrings.Theseriesprovideaswitching electroniccharacteristicsforanfluorescenttube replacementbyanLEDstring.Ithelpstomakethe Fluorescent	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
PMXB350UPE	文件：727.27 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Leadlessultrasmallandultrathi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350UPE	文件：701.81 Kbytes Page：14 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350XN	文件：206.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage nLeadlesspack	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZB350UPE	文件：701 Kbytes Page：14 Pages	20V,singleP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSAK350	文件：175.25 Kbytes Page：5 Pages	AC/DCSwitchingPowerSupplies	WALL Wall Industries Inc	WALL
PSB-350FATX-XE	文件：637.88 Kbytes Page：2 Pages	CostEffectiveCompact1URackmountChassisforHalf-sizeSBC	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH

产品属性

产品编号：
PFST.350
制造商：
SCHURTER Inc.
类别：
电路保护 > PTC 可复位保险丝
系列：
PFST
包装：
散装
类型：
聚合物
电压 - 最大值：
30V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
用户自定义
封装/外壳：
带
大小 / 尺寸：
1.185" 长 x 0.522" 宽（30.10mm x 13.25mm）
厚度（最大值）：
0.043"（1.10mm）
描述：
PTC RESET FUSE 30V 3.5A STRAP

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