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TPC8112	文件：258.22 Kbytes Page：4 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=5.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=31S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8112	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-8112	文件：1.10272 Mbytes Page：2 Pages	TZ-8Limitswitch	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UC-8112-LX	文件：1.93887 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UC-8112-LX	文件：1.25154 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UPC8112T	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8112TB	文件：173.17 Kbytes Page：5 Pages	3VSILICONMMICL-BANDFREQUENCYDOWNCONVERTER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8112TB	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8112TB	文件：273.59 Kbytes Page：22 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •ExcellentRFperformance:IIP3=–7dBm@fRFin=1.9GHz(reference) IM3=–88dBm@PRFin=–38dBm,1.9GHz(reference) •SimilarconversiongaintomPC2757andlowernoisefigurethanmPC2758 •Minimizedcarrierleakage:RFLO=–80dB@fRFin=900MHz(reference) RFLO=–55dB@fRF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UZ8112	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
PEX8112RDK-R
功能描述：
界面开发工具 PEX8112 DEV KIT REVERSE BRIDGE
RoHS：
否
制造商：
Bourns
产品：
Evaluation Boards
类型：
RS-485
工具用于评估：
ADM3485E
接口类型：
RS-485
工作电源电压：
3.3 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PEX8112RDK-R供应商更新时间2025-7-16 15:43:00

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