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PESDA8V2-1J	文件：1.00833 Mbytes Page：4 Pages	Marking：05W；Package：SOD-323；1-Line Unl-directional TVS Diode Features 350Wpeakpulsepower(8/20ps) Protectsonedataorpowerline Ultralowleakage:nAlevel +Operatingvoltage:5V Ultralowclampingvoltage +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV/ Contactdischarge:+30kV —IEC61000-	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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PESDA8V2-1J

文件：1.00833 Mbytes

Page：4 Pages

Marking：05W；Package：SOD-323；1-Line Unl-directional TVS Diode

Features *350Wpeakpulsepower(8/20ps) *Protectsonedataorpowerline *Ultralowleakage:nAlevel +Operatingvoltage:5V *Ultralowclampingvoltage +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV/ Contactdischarge:+30kV —IEC61000-

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

ESDA8V2-1J

文件：316.66 Kbytes

Page：5 Pages

HighEOSandESDprotectionlevel

Features BreakdownvoltageVBR=8.2V Unidirectionaldevice Highpeakpowerdissipation:500W (8/20μswaveform) ESDprotectionlevelbetterthan IEC61000-4-2,level4: 30kVcontactdischarge Lowleakagecurrent(

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

ESDA8V2-1J

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意法半导体意法半导体集团

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更多PESDA8V2-1J供应商更新时间2025-7-20 8:01:00

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