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PESD5V0V1BLD	文件：260.79 Kbytes Page：12 Pages	Marking：0111；Package：SOD882D；Very low capacitance bidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishoused inaSOD882DleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BLD-Q	文件：263.52 Kbytes Page：12 Pages	Marking：0111；Package：DFN1006D-2；Very low capacitance bidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishoused inaSOD882DleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BLD_15	文件：173.71 Kbytes Page：14 Pages	Very low capacitance bidirectional ESD protection diode	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0V1BLD,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-XDFN；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 12.5VC DFN1006D-2	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PESD5V0V1BL-Q	文件：252.66 Kbytes Page：12 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinanSOD882 leadlessultra-smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectone signallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandben	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BLS	文件：228.24 Kbytes Page：11 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients.Thedeviceishoused inaleadlessultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)Surface-MountedDevice(SMD)pla	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BSF	文件：797.14 Kbytes Page：13 Pages	UltralowprofilebidirectionalverylowcapacitanceESDprotectiondiode 1.1Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodein aSOD962leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)packagedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Featuresandbenefits Pb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BX	文件：614.59 Kbytes Page：5 Pages	BidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1USF	文件：371.92 Kbytes Page：13 Pages	VerylowcapacitanceunidirectionalESDprotectiondiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJE5V0V1DW	文件：328.57 Kbytes Page：6 Pages	VeryLowCapacitanceESDProtection	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
PESD5V0V1BLD
功能描述：
ESD 抑制器 7.8 V 13 pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

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