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PEMZ1	文件：49.06 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNP general purpose transistors DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea •Reducedrequired	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PEMZ1	文件：179.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FZ；Package：SOT666；NPN/PNP general purpose transistor 1.Generaldescription NPN/PNPdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightlead	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PEMZ1

文件：49.06 Kbytes

Page：8 Pages

NPN/PNP general purpose transistors

DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea •Reducedrequired

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

PEMZ1

文件：179.82 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：FZ；Package：SOT666；NPN/PNP general purpose transistor

1.Generaldescription NPN/PNPdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightlead

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
PEMZ1
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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