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PEMX1	文件：47.36 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPNdoubletransistorpairinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PEMT1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PEMX1	文件：108.64 Kbytes Page：7 Pages	NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPNdoubletransistorpairinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PEMT1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea	ETC	ETC
PEMX1	文件：178.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：ZZ；Package：SOT666；NPN/NPN general purpose double transistor 1.Generaldescription NPN/NPNdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PEMT1 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •ReplacestwoSC-75/SC-89p	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PEMX1

文件：47.36 Kbytes

Page：8 Pages

NPN general purpose double transistor

DESCRIPTION NPNdoubletransistorpairinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PEMT1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea

PhilipsPhilips Semiconductors

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PEMX1

文件：108.64 Kbytes

Page：7 Pages

NPN general purpose double transistor

ETC

PEMX1

文件：178.2 Kbytes

Page：7 Pages

丝印：ZZ；Package：SOT666；NPN/NPN general purpose double transistor

1.Generaldescription NPN/NPNdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PEMT1 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •ReplacestwoSC-75/SC-89p

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NEXPERIA

详细参数

型号：
PEMX1
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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