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PEMT1	文件：46.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose double transistor DESCRIPTION PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PEMX1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson same	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PEMT1	文件：107.49 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose double transistor DESCRIPTION PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PEMX1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson same	ETC	ETC
PEMT1	文件：178.28 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FF；Package：SOT666；PNP/PNP general purpose double transistor 1.Generaldescription PNP/PNPdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PEMX1 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PEMT1

文件：46.89 Kbytes

Page：8 Pages

PNP general purpose double transistor

DESCRIPTION PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PEMX1. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson same

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

PEMT1

文件：107.49 Kbytes

Page：6 Pages

PNP general purpose double transistor

ETC

PEMT1

文件：178.28 Kbytes

Page：7 Pages

丝印：FF；Package：SOT666；PNP/PNP general purpose double transistor

1.Generaldescription PNP/PNPdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PEMX1 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderi

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
PEMT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PEMT1供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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