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PEMD10	文件：47.67 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm DESCRIPTION NPN/PNPresistor-equippedtransistorsinaSOT666plasticpackage. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea •Reducesrequ	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PEMD10	文件：149.75 Kbytes Page：9 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 Generaldescription NPN/PNPResistor-EquippedTransistors(RET)inSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespickandplacecosts ■Simplifiescircuitdesign ■AEC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PEMD10	文件：1.06562 Mbytes Page：17 Pages	Marking：D1；Package：SOT666；NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMD10	文件：917.23 Kbytes Page：16 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMD10_V01	文件：1.06562 Mbytes Page：17 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMD10_PUMD10_15	文件：928.08 Kbytes Page：16 Pages	NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k?? R2 = 47 k?	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PEMD10
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ

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