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PEE50BB	文件：420.3 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Pb−Free, Halogen Free and RoHS compliant. • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. • Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications • Protection Circuits Applications. • Logic/Load Switch Circuits Applications. 文件：420.3 Kbytes 页数：6 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PEE50BB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
PEEL18CV8J-25	文件：0 bytes Page：0 Pages	ICT PLCC20	ICT 上传：深圳市洪芯电子有限公司	ICT
PEF20532FV1.3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon/英飞凌 TQFP100	Infineon/英飞凌上传：深圳市富利微电子科技有限公司	Infineon/英飞凌
PEF21628EV1X	文件：0 bytes Page：0 Pages	INTEL(英特尔)	INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)

技术参数

Package：
PDFN 3x3
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
138
RDS(ON)mΩmax at 10V：
1.4
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
2.7
VGS(th) max：
2.3
Typical Ciss(pF)：
3018
Typical Coss(pF)：
1276
Typical Crss(pF)：
78
Typical Qg(nC)：
53
Typical Qgd(nC）：
9.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	PEE50BB	NK/南科功率	2025+	DFN3333-8	986966	国产	询价
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更多PEE50BB供应商更新时间2025-10-12 14:00:00

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