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SBG2045CT	文件：45.12 Kbytes Page：2 Pages	20ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto225APeak ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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SBG2045CT

文件：45.12 Kbytes

Page：2 Pages

20ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto225APeak ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,F

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

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详细参数

型号：
PEB2045-P
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Memory Time Switch CMOS(MTSC)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PEB2045-P供应商更新时间2025-7-18 15:01:00

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