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PE616BA | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：329.11 Kbytes 页数：4 Pages | NIKOSEM 尼克森 | NIKOSEM | |
PE616BA | N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：725.75 Kbytes 页数：8 Pages | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | UNIKC | |
PE616BA | MOSFETs | Unikc 旭康微 | Unikc | |
PE616BA | Power MOSFET | NIKO-SEM 尼克森 | NIKO-SEM |
技术参数
- Package：
PDFN 3x3
- Configuration：
Single
- Type：
N
- ESD Diode：
No
- Schottky Diode：
No
- VDS (V)：
30
- VGS (±V)：
20
- ID (A)：
36
- RDS(ON)mΩmax at 10V：
7
- RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
9.5
- RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
/
- RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
/
- VGS(th) max：
3
- Typical Ciss(pF)：
835
- Typical Coss(pF)：
158
- Typical Crss(pF)：
96
- Typical Qg(nC)：
17.7
- Typical Qgd(nC)：
5.1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIKO-SEM/尼克森 |
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更新时间2026-4-17 18:03:00
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