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PE5M6EA	文件：249.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：249.66 Kbytes 页数：6 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PE5M6EA	文件：871.34 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：871.34 Kbytes 页数：9 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PE5M6EA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
PK5M6EA	文件：238.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：238.03 Kbytes 页数：6 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
VSSAF5M6	文件：112.07 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：112.07 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSSAF5M6	文件：111.43 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：111.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

更多PE5M6EA供应商更新时间2026-7-27 17:02:00