PDTD123T数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号:
PDTD123T
- 功能描述:
开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET
- RoHS:
否
- 制造商:
ON Semiconductor
- 晶体管极性:
NPN/PNP
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
200 mA
- 最大工作频率:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
50 V
- 集电极连续电流:
150 mA
- 功率耗散:
200 mW
- 封装:
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
25000 |
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NEXPERIA/安世 |
SOT-23 |
23+ |
360000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
360000 |
全新原装现货库存 |
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Nexperia |
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