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PDTD113ET中文资料NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PDTD113ET

参数属性

PDTD113ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 14:24:00

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PDTD113ET规格书详情

描述 Description

500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

特性 Features

• Built-in bias resistors
• Reduces component count
• Simplifies circuit design
• Reduces pick and place costs
• 500 mA output current capability
• 10 % resistor ratio tolerance
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Digital application in automotive and industrial segments
• Controlling IC inputs
• Cost saving alternative for BC817 series in digital applications
• Switching loads

技术参数

  • 制造商编号

    :PDTD113ET

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SOT23

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.3 x 1

  • IO [max] (mA)

    :500

  • R1 (typ) (kΩ)

    :1

  • R2 (typ) (kΩ)

    :1

  • Channel type

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :250

  • VCEO (V)

    :50

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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