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PDTD113E数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

PDTD113E

参数属性

PDTD113E 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

封装外壳

3-XDFN 裸露焊盘

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PDTD113EQAZ

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

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