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PDTC144TK	文件：91.21 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW-ohm, R2 = open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurpos	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144TK	文件：404.47 Kbytes Page：15 Pages	Marking：53；Package：SOT346；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TK	文件：404.49 Kbytes Page：15 Pages	Marking：53；Package：SOT346；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TK	文件：401.94 Kbytes Page：15 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TM	文件：91.21 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=47kW-ohm,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurpos	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144TM	文件：404.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=47kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TM	文件：404.49 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=47kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TM	文件：401.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=47kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TMB	文件：721.21 Kbytes Page：12 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=47k廓,R2=open Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144TS	文件：91.21 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=47kW-ohm,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurpos	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PDTC144TK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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