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PDTC143EMB中文资料NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTC143EMB |
| 参数属性 | PDTC143EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:00:00 |
| 人工找货 | PDTC143EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTC143EMB规格书详情
描述 Description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA143EMB.
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTC143EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：4.7
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：4.7
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
SOT |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
PH |
25+ |
TQFP |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
AMMO |
37500 |
原装正品现货,价格有优势! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
TSSOP20 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-323 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
PHI |
25+23+ |
SOT |
9769 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TSSOP20 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT-323 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
25000 |
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询价 |
