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PDTC123JT-Q	文件：228.88 Kbytes Page：12 Pages	丝印：25；Package：SOT23；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JT 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducesco	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123JT-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ; • 100 mA output current capability\n• Built-in bias resistors\n• Simplifies circuit design\n• Reduces component count\n• Reduces pick and place costs\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications\n; NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n PNP complement: PDTA123JT\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PDTC123JU	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JU	文件：774.48 Kbytes Page：11 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JU 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123JU	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123JU-Q	文件：227.38 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JU 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123T	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123T_SER	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123TE	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
250
R2 (typ) (kΩ)：
47
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
VCEO (V)：
50

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PDTC123JT-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多PDTC123JT-Q供应商更新时间2025-7-28 14:39:00

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