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PDTC115TK	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
PDTC115TK	文件：177.46 Kbytes Page：11 Pages	丝印：28；Package：SC-59A；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：177.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTC115TK	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：224.95 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTC115TM	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
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详细参数

型号：
PDTC115TK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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