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PDTC114EMB分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTC114EMB |
参数属性 | PDTC114EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 |
封装外壳 | 3-XFDFN |
文件大小 |
699.84 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | 未知制造商 |
企业简称 |
恩XP |
中文名称 | 未知制造商 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-29 23:00:00 |
人工找货 | PDTC114EMB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTC114EMB规格书详情
General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PDTA114EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号:
PDTC114EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 5mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
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询价 | ||
恩XP |
2223+ |
SOT-883 |
26800 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TQFP100 |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-883 |
8635 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-883 |
30000 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
25000 |
订货1周 原装正品 |
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Nexperia(安世) |
23+ |
SOT-883-3 |
7087 |
Nexperia安世原装现货库存,原厂技术支持! |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT-883 |
8080 |
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询价 | ||
恩XP |
21+ |
25000 |
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