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PDTC114EMB中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
PDTC114EMB |
| 参数属性 | PDTC114EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 |
| 文件大小 |
699.84 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-21 12:19:00 |
PDTC114EMB规格书详情
General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PDTA114EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号：
PDTC114EMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-883 |
26880 |
公司只有原装 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-883 |
8080 |
公司只做原装,诚信经营 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
TQFP100 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
67000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
TQFP100 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-883 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
SOT-883 |
98290 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
SOT-883 |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-883 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TQFP100 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
