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PDTC114EM中文资料NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PDTC114EM

参数属性

PDTC114EM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

封装外壳

3-XFDFN

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 22:59:00

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PDTC114EM规格书详情

描述 Description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

特性 Features

• 100 mA output current capability
• Built-in bias resistors
• Simplifies circuit design
• Reduces component count
• Reduces pick and place costs
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Digital application in automotive and industrial segments
• Control of IC inputs
• Cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications
• Switching loads

技术参数

  • 制造商编号

    :PDTC114EM

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN1006-3

  • Size (mm)

    :1 x 0.6 x 0.48

  • IO [max] (mA)

    :100

  • R1 (typ) (kΩ)

    :10

  • R2 (typ) (kΩ)

    :10

  • Channel type

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :250

  • VCEO (V)

    :50

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :Y

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