PDTB123ET中文资料PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTB123ET |
| 参数属性 | PDTB123ET 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB |
| 功能描述 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 20:00:00 |
| 人工找货 | PDTB123ET价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTB123ET规格书详情
描述 Description
500 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTD123ET.
特性 Features
• 500 mA output current capability
• Reduces pick and place costs
• Built-in bias resistors
• ±10 % resistor ratio tolerance
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Reduces component count
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Cost-saving alternative for BC807 series in digital applications
• Control of IC inputs
• Switching loads
技术参数
- 制造商编号
：PDTB123ET
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- IO [max] (mA)
：500
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- R2 (typ) (kΩ)
：2.2
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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23+ |
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