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PDTC115E	文件：93.58 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC115E	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115E_SER	文件：420.45 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115E_SERIES	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115EE	文件：93.58 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC115EE	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC115EE	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115EE	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115EE	文件：420.45 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115EEF	文件：93.58 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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