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PDTC123ES	文件：188.96 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	ETC	ETC
PDTC123ES	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTC123ES	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123ES	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123ET	文件：50.48 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampl	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTC123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTC123ET	文件：188.96 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	ETC	ETC
PDTC123ET	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTC123ET	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123ET	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.37
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
325
R2 (typ) (kΩ)：
10
IC [max] (mA)：
500
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
VCEO (V)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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