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PDTD113ZK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTD113ZQA	文件：1.96506 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113ZQA	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113ZQA	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113ZQA_SER	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTD113ZT	文件：71.79 Kbytes Page：9 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kW,R2=10kW	ETC	ETC
PDTD113ZT	文件：71.79 Kbytes Page：9 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistorR1=1kW,R2=10kW	ETC	ETC
PDTD113ZT	文件：897.26 Kbytes Page：8 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPN500mAResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTB113ZT 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Reducescomponentcount •Simplifiescircuitdesign •Reducespickandplace	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113ZT-Q	文件：201.28 Kbytes Page：8 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPN500mAResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTB113ZT 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Reducescomponentcount •Simplifiescircuitdesign •Reducespickandplace	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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