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PDTC113EU	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTC113ZS	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZT	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZU	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113E	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD113E	文件：131.74 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=1k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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产品属性

产品编号：
PDTB113EUX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
33 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PREBIAS PNP 0.425W

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