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PDTB113EQA_SER	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ES	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB113ET	文件：239.6 Kbytes Page：11 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=1kΩ Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ET	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113EU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113Z_SER	文件：2.00194 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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