Low VCEsat (BISS) transistors

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Low VCEsat (BISS) transistors

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PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 10 kW

恩XP

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC143XMB. • 100 mA output current capability\n• Reduces component count\n• Built-in bias resistors\n• Reduces pick and place costs\n• Simplifies circuit design\n• AEC-Q101 qualified\n• Leadless ultra small SMD plastic package\n• Low package height of 0.37 mm;

Nexperia

安世

50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in an ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PDTC143XM-Q

Nexperia

安世

Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

Nexperia USA Inc.

Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 3DFN

Nexperia USA Inc.

Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：PDTA143XQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

Nexperia USA Inc.