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PDTA143_SER	文件：2.80864 Mbytes Page：21 Pages	50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors 1.1Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143E	文件：91.28 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k-ohm,R2=4.7k-ohm DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PDTA143EEF	文件：91.28 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k-ohm,R2=4.7k-ohm DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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