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PDTA123TK	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123TK	文件：198.32 Kbytes Page：11 Pages	Marking：GA；Package：SC-59A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTA123TM	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123TMB	文件：729.91 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2k廓,R2=open	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123TS	文件：198.32 Kbytes Page：11 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PDTA123TT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
PDTA123TK
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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