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PDTA143TM	文件：173.27 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k廓,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA143TM	文件：89.93 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors:R1=4.7KOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA143TM	文件：402.61 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitapplications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TM	文件：385.86 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TMB	文件：725.99 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=4.7k廓,R2=open Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TS	文件：89.93 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors:R1=4.7KOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA143TS	文件：173.27 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k廓,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA143TS	文件：402.61 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitapplications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TS	文件：385.86 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PDTA143TT	文件：173.27 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k廓,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA143TT	文件：402.61 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitapplications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TT	文件：385.86 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TU	文件：89.93 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors:R1=4.7KOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA143TU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA143TU	文件：173.27 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7k廓,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA143TU	文件：402.61 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitapplications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TU	文件：385.86 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143X	文件：93.89 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET)familyinsmallplasticpackages. Features ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespickandplacecosts ■Simplifiescircuitdesign Applications ■Digitalapplications ■C	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
PDTA143TK T/R
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多PDTA143TK T/R供应商更新时间2024-9-26 10:50:00

详细参数

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