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PDTA123JQC-Q	文件：366.42 Kbytes Page：20 Pages	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123JQC-Q	文件：365.63 Kbytes Page：20 Pages	Marking：8C；Package：DFN1412D-3；50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors 1.Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinanultrasmallDFN1412D-3(SOT8009) leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEDEC NPNcomplement: PDTA14	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123JQC-QZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：PDTA123JQC-Q/SOT8009/DFN1412D-	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTA123JS	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123JT	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123JT	文件：50.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123JT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123JT	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123JU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123JU	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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