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PDTA123JEF	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and ampli 文件：92.63 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA123JEF	文件：49.13 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped transistor DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：49.13 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA123JEF	文件：181.7 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：181.7 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PDTA123JEF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP resistor-equipped transistor	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
PDTA123JEF
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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