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PDTA123JEF	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTA123JEF	文件：49.13 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped transistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTA123JEF	文件：181.7 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	恩XP	恩XP
PDTA123JEF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP resistor-equipped transistor	恩XP	恩XP
PDTB114EU	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA 原厂	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
PDTA123JEF
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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