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PDTA115EMB中文资料PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTA115EMB |
| 参数属性 | PDTA115EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 14:01:00 |
| 人工找货 | PDTA115EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA115EMB规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC115EMB.
特性 Features
• 20 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTA115EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：100
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：100
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
24+ |
SOT-23 |
12000 |
现货 |
询价 | ||
恩XP |
25 |
QFN64 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
QFN64 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SST3(SOT-23-3) |
215 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT-457 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-457 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
QFN64 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
NP3 |
23+ |
98070 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
