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PDTA114YMB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
PDTA114YMB |
| 参数属性 | PDTA114YMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | PDTA114YMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA114YMB规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC114YMB.
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTA114YMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：47
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：10
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT883B |
600000 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
1739+ |
20000 |
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询价 | |||
恩XP |
2017+ |
SOT23-3 |
6528 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
96486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
恩XP |
25+23+ |
SOT23 |
55416 |
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询价 | ||
Nexperia USA Inc. |
25+ |
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询价 | ||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT1215 |
300000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
5000 |
有部份现货 |
询价 |
