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PDTA114EMB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
PDTA114EMB |
| 参数属性 | PDTA114EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PDTA114EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA114EMB规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC114EMB
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias transistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTA114EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：10
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：10
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
2016+ |
SOT-23 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IDT |
23+ |
SSOP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
PRISEMI/芯导 |
24+ |
DFN1006-3L |
900000 |
原装进口特价 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
原厂封装 |
12300 |
询价 | |||
NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
25000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
N/A |
120000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT1215 |
300000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
98040 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-23 |
3000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 |
