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PDTA115EMB分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTA115EMB |
| 参数属性 | PDTA115EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT883B / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
960.46 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-3 11:30:00 |
| 人工找货 | PDTA115EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
PDTA115EMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-457 |
30000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
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Nexperia(安世) |
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恩XP |
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SOT-323 |
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恩XP |
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